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GaN公司納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）宣布將進(jìn)軍更高功率市場(chǎng)，成立了一個(gè)新設(shè)計(jì)中心，致力于將下一代 GaN 功率IC和相關(guān)的高效、高功率密度系統(tǒng)引入數(shù)據(jù)中心。

新設(shè)計(jì)中心位于中國(guó)杭州，擁有一支由電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)師組成的團(tuán)隊(duì)，他們具有電氣、熱力和機(jī)械設(shè)計(jì)、軟件開發(fā)以及完整的模擬和原型設(shè)計(jì)能力。納微表示，新團(tuán)隊(duì)將在全球范圍內(nèi)為數(shù)據(jù)中心電力客戶提供支持，從概念到原型，再到全面驗(yàn)證和批量生產(chǎn)。

該設(shè)計(jì)中心將為數(shù)據(jù)中心電源開發(fā)原理圖、布局和固件。此外，還將針對(duì)磁性材料、熱襯底和其他材料建立多種合作伙伴關(guān)系，以幫助客戶優(yōu)化其電源設(shè)計(jì)。

納微估計(jì)，從傳統(tǒng)硅材料升級(jí)到新GaN材料，可以節(jié)省高達(dá)40%的能源，并為全球范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)中心每年節(jié)省19億美元的電力成本。數(shù)據(jù)中心電源按嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn)評(píng)級(jí)，極端的“鈦”級(jí)要求在 50% 的負(fù)載下達(dá)到 96% 的效率。這些新的基準(zhǔn)不僅由GaN技術(shù)支持，而且還是歐盟“2009/125/EC指令，2019年附件”等法規(guī)的要求，該指令規(guī)定從2023年1月1日起，新的數(shù)據(jù)中心電源必須達(dá)到“鈦”級(jí)效率。

納微中國(guó)副總裁兼總經(jīng)理查瑩杰表示：“納微數(shù)據(jù)中心團(tuán)隊(duì)擁有GaN功率IC的新技術(shù)能力，以及實(shí)際的電源設(shè)計(jì)和驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)。第一個(gè)驗(yàn)證的是 1.2kW的‘鈦+’設(shè)計(jì)，它不僅超過(guò)了數(shù)據(jù)中心電源的最高效率標(biāo)準(zhǔn)，而且還經(jīng)過(guò)價(jià)值工程設(shè)計(jì)，成本低于傳統(tǒng)硅設(shè)計(jì)。在此之后，就進(jìn)入了2.2 kW和3kW平臺(tái)。”

1.2kW的設(shè)計(jì)是與Boco和杭州FRD合作開發(fā)的，目前該電源正在為2022年量產(chǎn)接受評(píng)估。Boco首席執(zhí)行官 Golden Yin 表示：“GaNFast 電源 IC 是易于使用、數(shù)字輸入、電源輸出的構(gòu)建模塊，它縮短了原型設(shè)計(jì)和首次正確設(shè)計(jì)需要的時(shí)間?！?FRD 電源事業(yè)部總經(jīng)理Ray Gu表示：“GaNFast 電源 IC 對(duì)于實(shí)現(xiàn)‘鈦+’效率至關(guān)重要，這是下一代數(shù)據(jù)中心電源的一個(gè)重要里程碑。這將有助于 FRD 加強(qiáng)其產(chǎn)品組合，并為企業(yè)客戶提供全面的解決方案” .

聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Gene Sheridan 表示：“隨著數(shù)據(jù)和通信繼續(xù)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，將數(shù)據(jù)中心升級(jí)到GaNFast電源IC，以降低成本、最大限度地節(jié)省能源并減少CO₂排放就變得至關(guān)重要。作為一個(gè)重要的擴(kuò)張市場(chǎng)，我們?cè)谧罱?IPO 融資之前進(jìn)行了招募，對(duì)我們數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的這種信心已經(jīng)產(chǎn)生了回報(bào)。通過(guò)與世界各地的數(shù)據(jù)中心工程師合作，我們可以加速采用基于GaN的數(shù)據(jù)中心，并對(duì)節(jié)能、電力成本和 CO₂排放產(chǎn)生重大影響?！?/span>

制造 GaN 功率 IC 的 CO₂排放量比制造硅芯片低 10 倍，考慮到使用效率、材料尺寸和重量?jī)?yōu)勢(shì)，那么每出貨一個(gè)GaN 功率 IC 可以節(jié)省 4 kg CO₂?？傮w而言，到 2050 年，GaN 有望實(shí)現(xiàn)每年減少2.6億噸的CO₂排放量。

（此文章轉(zhuǎn)載于化合物半導(dǎo)體雜志）